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中國(guó)薄膜電容領(lǐng)軍品牌

       

QQ:304178812

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MKPH-S GTO緩沖吸收軸向系列

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
常見問(wèn)題解答
問(wèn):MKP是什么意思?
答:MKP是德國(guó)對(duì)金屬化聚丙烯薄膜電容的簡(jiǎn)稱。
問(wèn):BM電容器常規(guī)外表顏色表示什么意思?
答:BM電容器為了區(qū)分環(huán)保產(chǎn)品和非環(huán)保產(chǎn)品,對(duì)電容器外表以不同的顏色來(lái)表示。其中黑色表示非環(huán)保產(chǎn)品;藍(lán)色、灰白色、黃色、褐色表示環(huán)保產(chǎn)品。
問(wèn):BM電容器電壓?jiǎn)挝皇鞘裁?
答:BM電容器電壓?jiǎn)挝挥校篤AC(交流電壓)和VDC(直流電壓)。
問(wèn):BM電容器常規(guī)安裝方式有哪些?
答:  BM電容器的安裝方式有:正耳、無(wú)耳、彎插鐵耳、直插鐵耳、側(cè)長(zhǎng)耳、中雙耳、對(duì)角底雙耳、平口雙耳。   (如圖二)  
問(wèn):BM電容器有哪些認(rèn)證?
答:   BM電容器的認(rèn)證有:CQC、UL、VDE、TUV、ENEC、KC、CUL。其中CQC是中國(guó)認(rèn)證;UL是美國(guó)認(rèn)證;VDE是歐洲認(rèn)證;TUV是德國(guó)認(rèn)證;ENEC是歐洲認(rèn)證;KC是韓國(guó)認(rèn)證;CUL是加拿大認(rèn)證。
問(wèn):BM電容器中的P0和P2表示的是什么意思?
答:答:BM電容器中的P0表示不防爆,P2表示防爆。安全膜類電容防爆原理,金屬化電極采用微保險(xiǎn)絲網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(如圖一),在電容運(yùn)行發(fā)生故障時(shí),通過(guò)微保險(xiǎn)絲斷開,自動(dòng)切斷電源,從而防止故障擴(kuò)大,達(dá)到自我安全保護(hù)目的。
問(wèn):BM電容器常規(guī)引出方式有哪些?
答:BM電容器引出方式有:引線,插針,插片,端子。端子分187#(寬4.8mm),250#(寬6.3mm)。
問(wèn):BM電容器MKPH、MKPH-R、MKPH-S,MKP-L表示的是什么類型的電容?
答:BM電容中MKPH表示的是高壓諧振電容器;MKPH-R表示的是工業(yè)類諧振電容器;MKPH-S表示的是工業(yè)類緩沖吸收電容器;MKP-L表示的是工業(yè)類濾波電容器。
  • 產(chǎn)品詳情

  • 聯(lián)系我們

      產(chǎn)品展示

     

      產(chǎn)品說(shuō)明:

     

    ★特點(diǎn)

    □阻燃邁拉膠帶封裝、阻燃環(huán)氧灌封

    □高脈沖電流,高dv/dt承受能力

    □等效串聯(lián)電阻小、雜散電感低

    □耐壓高,損耗小,升溫低

    □軸向鍍錫銅線引出       

     

    ★應(yīng)用場(chǎng)合

    □IGBT緩沖吸收        

    □廣泛用于電力電子設(shè)備中開關(guān)器件關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓,尖峰電流吸收保護(hù)

          

    ★技術(shù)要求

    引用標(biāo)準(zhǔn)

    GB/T17702,IEC61071 

    氣候類別 

    40/105/21

    工作溫度范圍(外殼) 

    -40~105℃

    電壓范圍 

    4KVDC~20KVDC

    容量范圍

    0.068μF~3μF

    容量允許偏差 

    ±5%(J)/±10%(K)

    損耗角正切值

    6×10-4

    耐電壓 

    1.5Un(60S,20±5℃)

    絕緣電阻

    ≥100 000MΩ, Cn≤0.33μF 

    ≥30 000s     Cn>0.33μF

    20±5℃ 100V.DC 60S

    過(guò)電壓

    1.1Un 30% of on-load-dur.

    1.15Un 30min/day 

    1.2Un 5min/day

    1.3Un 1min/day

    最高使用海拔

    2000m

    預(yù)期壽命

    100 000h(Un,θhs=70℃)

    失效率 

    50FIT

    備注:如果海拔使用高度超過(guò)2000m,應(yīng)該考慮海拔對(duì)對(duì)流冷卻和外絕緣的影響

     

    ★技術(shù)參數(shù)

    4000VDC 

    Cn

    (μF)

    Dimension(mm)

    dv/dt

    (V/μs)

    Ipeak

    (A)

    Ls

    (nH)

    ESR@10KHz(mΩ)

    Part number

    L

    D

    Outputt

    P

    0.68

    40

    52

    M6*8

    56

    1100

    748

    25

    2.1

    1GSY468D4000--

    0.75

    40

    54

    M6*8

    56

    1100

    825

    25

    1.9

    1GSY475D4000--

    1.0

    40

    62

    M8*8

    56

    1100

    1100

    25

    1.5

    1GSY510D4000--

    1.25

    40

    69

    M8*8

    56

    1100

    1375

    25

    1.3

    1GSY5125D4000--

    1.5

    40

    76

    M8*8

    56

    1100

    1650

    25

    1.1

    1GSY515D4000--

    2.0

    40

    86

    M8*8

    56

    1100

    2200

    25

    0.9

    1GSY520D4000--

    2.5

    40

    97

    M8*8

    56

    1100

    2750

    25

    0.8

    1GSY525D4000--

    0.68

    64

    38

    M6*8

    74

    770

    524

    25

    4.0

    1GSY468D4000--

    1.0

    64

    45

    M6*8

    74

    770

    770

    25

    3.0

    1GSY510D4000--

    1.5

    64

    54

    M6*8

    74

    770

    1155

    25

    2.5

    1GSY515D4000--

    2.0

    64

    62

    M8*8

    74

    770

    1540

    25

    2.0

    1GSY520D4000--

    2.5

    64

    69

    M8*8

    74

    770

    1925

    25

    1.8

    1GSY525D4000--

    3.0

    64

    75

    M8*8

    74

    770

    2310

    25

    1.6

    1GSY530D4000--

     

    5000VDC

    Cn

    (μF)

    Dimension(mm)

    dv/dt

    (V/μs)

    Ipeak

    (A)

    Ls

    (nH)

    ESR@10KHz(mΩ)

    Part number

    L

    D

    Outputt

    P

    0.5

    40

    55

    M6*8

    56

    1130

    565

    25

    2.2

    1GSY450D5000---

    0.68

    40

    64

    M8*8

    56

    1130

    768

    25

    1.7

    1GSY468D5000--

    0.75

    40

    67

    M8*8

    56

    1130

    848

    25

    1.6

    1GSY475D5000--

    1.0

    40

    78

    M8*8

    56

    1130

    1130

    25

    1.3

    1GSY510D5000-

    1.25

    40

    87

    M8*8

    56

    1130

    1413

    25

    1.1

    1GSY5125D5000--

    1.5

    40

    95

    M8*8

    56

    1130

    1695

    25

    0.9

    1GSY515D5000--

    2.0

    40

    109

    M8*8

    56

    1130

    2260

    25

    0.8

    1GSY520D5000--

     

    6000VDC

    Cn

    (μF)

    Dimension(mm)

    dv/dt

    (V/μs)

    Ipeak

    (A)

    Ls

    (nH)

    ESR@10KHz(mΩ)

    Part number

    L

    D

    Outputt

    P

    0.5

    76

    50

    M6*8

    90

    1240

    620

    25

    2.7

    1GSY450D6000--

    0.68

    76

    59

    M6*8

    90

    1240

    843

    25

    2.1

    1GSY468D6000--

    0.75

    76

    61

    M8*8

    90

    1240

    930

    25

    1.9

    1GSY475D6000--

    1.0

    76

    70

    M8*8

    90

    1240

    1240

    25

    1.5

    1GSY510D6000--

    1.25

    76

    78

    M8*8

    90

    1240

    1550

    25

    1.3

    1GSY5125D6000-

    1.5

    76

    85

    M8*8

    90

    1240

    1860

    25

    1.1

    1GSY515D6000--

    2.0

    76

    98

    M8*8

    90

    1240

    2480

    25

    0.9

    1GSY520D6000--

     

    8000VDC

    Cn

    (μF)

    Dimension(mm)

    dv/dt

    (V/μs)

    Ipeak

    (A)

    Ls

    (nH)

    ESR@10KHz(mΩ)

    Part number

    L

    D

    Outputt

    P

    0.33

    80

    49

     

    91

    1430

    472

    25

    4.0

    1GSY433D8000--

    0.5

    80

    60

    M8*8

    91

    1430

    715

    25

    2.7

    1GSY450D8000--

    0.68

    80

    70

    M8*8

    91

    1430

    972

    25

    2.1

    1GSY468D8000--

    0.75

    80

    73

    M8*8

    91

    1430

    1073

    25

    1.9

    1GSY475D8000--

    1.0

    80

    84

    M8*8

    91

    1430

    1430

    25

    1.5

    1GSY510D8000--

    1.25

    80

    93

    M8*8

    91

    1430

    1788

    25

    1.3

    1GSY5125D8000--

    1.5

    80

    102

    M8*8

    91

    1430

    2145

    25

    1.1

    1GSY515D8000--

    0.33

    114

    38

    M8*8

    125

    1100

    363

    25

    7.4

    1GSY433D8000--

    0.5

    114

    45

    M8*8

    125

    1100

    550

    25

    5.0

    1GSY450D8000--

    0.68

    114

    52

    M8*8

    125

    1100

    748

    25

    3.8

    1GSY468D8000--

    0.82

    114

    57

    M8*8

    125

    1100

    902

    25

    3.2

    1GSY482D8000--

    1.0

    114

    63

    M8*8

    125

    1100

    1100

    25

    2.7

    1GSY510D8000--

    1.5

    114

    76

    M8*8

    125

    1100

    1650

    25

    1.9

    1GSY515D8000--

     

    10000VDC

    Cn

    (μF)

    Dimension(mm)

    dv/dt

    (V/μs)

    Ipeak

    (A)

    Ls

    (nH)

    ESR@10KHz(mΩ)

    Part number

    L

    D

    Outputt

    P

    0.33

    9.8

    55

    M6*8

    109

    1600

    528

    25

    4.0

    1GSY433D10000--

    0.5

    98

    67

    M8*8

    109

    1600

    800

    25

    2.7

    1GSY450D10000--

    0.68

    98

    77

    M8*8

    109

    1600

    1088

    25

    2.1

    1GSY468D10000--

    0.75

    98

    81

    M8*8

    109

    1600

    1200

    25

    1.9

    1GSY475D10000--

    1.0

    98

    93

    M8*8

    109

    1600

    1600

    25

    1.5

    1GSY510D10000--

    1.25

    98

    104

    M8*8

    109

    1600

    2000

    25

    1.3

    1GSY5125D10000--

    0.33

    140

    41

    M8*8

    148

    1220

    403

    25

    7.5

    1GSY433D10000--

    0.5

    140

    50

    M8*8

    148

    1220

    610

    25

    5.0

    1GSY450D10000--

    0.68

    140

    58

    M8*8

    148

    1220

    930

    25

    3.8

    1GSY468D10000--

    0.82

    140

    64

    M8*8

    148

    1220

    1000

    25

    3.2

    1GSY482D10000--

    1.0

    140

    70

    M8*8

    148

    1220

    1220

    25

    2.7

    1GSY510D10000--

    1.2

    140

    76

    M8*8

    148

    1220

    1464

    25

    2.4

    1GSY512D10000--

     

    12000VDC

    Cn

    (μF)

    Dimension(mm)

    dv/dt

    (V/μs)

    Ipeak

    (A)

    Ls

    (nH)

    ESR@10KHz(mΩ)

    Part number

    L

    D

    Outputt

    P

    0.22

    114

    49

    M6*8

    125

    1750

    385

    25

    5.8

    1GSY422D12000--

    0.33

    114

    60

    M8*8

    125

    1750

    578

    25

    4.0

    1GSY433D12000--

    0.50

    114

    73

    M8*8

    125

    1750

    875

    25

    2.7

    1GSY450D12000--

    0.68

    114

    84

    M8*8

    125

    1750

    1190

    25

    2.1

    1GSY468D12000--

    0.75

    114

    89

    M8*8

    125

    1750

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